調査対象： あらゆる規模の 545 人の市場関係者を対象に調査を実施しました。 MRAM は、Magnetoresistive Random Access Memory の略です。 これは、磁場を使用してデータを保存する不揮発性メモリ技術の一種です。 データを保持するために電力を必要とする従来の DRAM ...

今回開発した「電圧誘起スタティック磁化反転法」によって、幅広いパルス幅の条件で安定した磁気情報の書き込みができる新しい電圧駆動方式を実現しました。従来の方法（電圧誘起ダイナミック磁化反転法）では難しかった、より大容量な磁気メモリーの電圧書き込み技術へ ...

不揮発性メモリーMRAMの新しい書込み方式「電圧書込み」の安定動作を実証。 実用上重要な書込みエラー率の評価法を開発、実用化に必要なエラー率実現に道筋。 電圧書込み型の不揮発性メモリーによる情報機器の超低消費電力化の可能性。 国立研究 ...

イリジウムを用いた参照層スペーサー層が参照層の性能を向上させることを発見。 これまで標準的に用いられてきたルテニウムよりも高性能な参照層性能を実現。 磁気ランダムアクセスメモリー（MRAM）の大量生産への貢献と大容量化を加速。 国立 ...

産業技術総合研究所(産総研)は6月1日、300mmウェハ上に不揮発性メモリ「MRAM」の単結晶記憶素子を製造する技術を開発したこと、ならびに、それをシリコンLSIに集積化する製造プロセス技術を開発したことを発表した。 同成果は、産総研 新原理 ...

不揮発性磁気メモリーMRAMのための3次元積層プロセスを開発 ～新世代単結晶MRAM製造の可能性を拓く～ ポイント ・MRAMの3次元積層プロセス技術を初めて実現。 ・3次元積層プロセスによるMRAM動作特性の劣化が無いことを実証。 ・単結晶薄膜の使用によるMRAM ...

次世代の不揮発性メモリとして期待される「MRAM(磁気抵抗メモリ)」の技術と製品、市場を議論するイベント「MRAM Developer Day(MRAM開発者デー)」が米国カリフォルニア州サンタクララで2019年8月5日(現地時間)に開催された。 「MRAM Developer Day」はフラッシュメモリ ...

SoC(System on a Chip)やマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ(マイコン)などのCMOSロジックが内蔵するメモリを、MRAM(磁気抵抗メモリ)で置き換えようとする動きが活発だ。目標は2つ。1つは埋め込みフラッシュメモリ(eFlash)の代替、もう1つはオンチップSRAMの ...

一般的なロジック半導体の住み分けイメージとして、ローエンドがマイコン、ハイエンドがSoC/MPUといったものがあるが ...

NEDOは「省エネAI半導体及びシステムに関する技術開発事業」（以下、本事業）において、エッジ領域に適した半導体デバイスの早期実現を目指して、開発を進めています。このたび、国立大学法人東北大学と株式会社アイシンは、大容量MRAMを搭載した ...

スピン・トランスファー・テクノロジーズと東京エレクトロン、次世代MRAMの開発に向け協力 スピン・トランスファー・テクノロジーズ（Spin Transfer Technologies,Inc.:STT）と東京エレクトロン（TEL）は、SRAMおよびDRAMを代替する次世代MRAMデバイスの実現に向けた ...